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半導(dǎo)體技術(shù)雜志

北大期刊 統(tǒng)計源期刊

主管單位:中國電子科技集團(tuán)公司  主辦單位:中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

月刊  審稿周期:預(yù)計1-3個月  全年訂價:¥316.00

《半導(dǎo)體技術(shù)》由趙小寧擔(dān)任主編,創(chuàng)刊于1976年,由中國電子科技集團(tuán)公司主管、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所主辦的一本電子領(lǐng)域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領(lǐng)域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等,力求及時、準(zhǔn)確、全面的反映該領(lǐng)域的政策、技術(shù)、應(yīng)用市場及動態(tài)。

  • 13-1109/TN 國內(nèi)刊號
  • 1003-353X 國際刊號
  • 2255 發(fā)文量
  • 0.34 影響因子
  • 7023 總被引量
  • 18-65 郵發(fā)代號
  • 1976 創(chuàng)刊時間

半導(dǎo)體技術(shù)期刊信息

  • 出版語言:中文
  • 創(chuàng)刊時間:1976年
  • 國際刊號:1003-353X
  • 曾用名:半導(dǎo)體技術(shù)
  • 紙張開本:A4
  • 國內(nèi)刊號:13-1109/TN
  • 出版地區(qū):河北
  • 發(fā)行周期:月刊
  • 郵發(fā)代號:18-65

半導(dǎo)體技術(shù)期刊榮譽

半導(dǎo)體技術(shù)投稿須知

1.注釋一律采用腳注,且須標(biāo)明相應(yīng)的作者、篇名、出版社(或雜志名)、年份(或年期)及頁碼。

2.引文標(biāo)注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式統(tǒng)一編碼。文獻(xiàn)征引請使用參考文獻(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)格式。

3.表格全部采用三線表,插圖中的文字采用小5號宋體加粗,每張插圖的寬度不要超過200px,一律用Word文檔制作。

4.正文標(biāo)題:內(nèi)容應(yīng)簡潔、明了,層次不宜過多,層次序號為一、(一)、1、(1),層次少時可依次選序號。

5.作者切忌一稿多投,3個月內(nèi)未收到我刊任何回復(fù),即可將稿件另行處理。無論文章采用與否,均不予退稿,請作者自留底稿。

半導(dǎo)體技術(shù)編輯部聯(lián)系方式

地址:石家莊市合作路113號

郵編:50051

主編:趙小寧

半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)文選摘

  • 1、征稿通知 第13屆國際專用集成電路會議

    作者:--

  • 2、金剛石基GaN HEMT技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢

    作者:趙金霞

  • 3、基于InGaAs蓋革模式APD探測器的主動淬滅電路設(shè)計

    作者:楊赟秀; 袁菲; 路小龍; 景立; 鄧世杰; 咼長冬; 宋海智; 張偉

  • 4、一種性能指標(biāo)可配置的SAR ADC的設(shè)計與實現(xiàn)

    作者:居水榮; 謝亞偉; 王津飛; 朱樟明

  • 5、SiC MOSFET的短路特性

    作者:高勇; 喬小可; 孟昭亮; 楊媛

  • 6、基于噴墨打印的In2O3/IGZO TFT的電學(xué)性能

    作者:梁坤; 邵霜霜; 羅慢慢; 謝建軍; 趙建文; 崔錚

  • 7、雙溝道脊波導(dǎo)InGaAsP/InGaAsP半導(dǎo)體激光器的溫度分布仿真

    作者:李曉; 張瑞英; 郭春揚; 趙岳

  • 8、基于Statz模型的射頻MOSFET非線性電容建模

    作者:薛佳男; 劉逸哲; 高建軍

  • 9、n型雙面TOPCon太陽電池鈍化技術(shù)

    作者:于波; 史金超; 李鋒; 龐龍; 劉克銘; 于威

  • 10、圖形化藍(lán)寶石襯底表面原位處理對GaN外延薄膜的影響

    作者:盛百城; 白欣嬌; 唐蘭香; 甘琨; 袁鳳坡

半導(dǎo)體技術(shù)期刊評價分析

年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)

半導(dǎo)體技術(shù)期刊評價報告

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
被引次數(shù) 532 571 633 562 608 578 621 688 659 659
影響因子 0.18 0.22 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57 0.49
立即指數(shù) 0.04 0.03 0.08 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13 0.06
發(fā)文量 192 181 170 176 162 151 161 150 152 150
被引半衰期 5.65 6.04 6.78 6.4 7.04 7.32 7.01 6.78 5.18 6.09
引用半衰期 4.57 5.19 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75 4.62
期刊他引率 0.9 0.88 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79 0.9
平均引文率 11.1 11.3 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5 19

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