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igbt驅(qū)動(dòng)電路范文第1篇

關(guān)鍵詞：igbt； VLA517； 驅(qū)動(dòng)電路； 保護(hù)電路

中圖分類號(hào)：TG434.1 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1006-3315（2013）11-179-001

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種新型復(fù)合型器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、耐壓高等幾個(gè)方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT專用高速驅(qū)動(dòng)器VLA517是常用的集成驅(qū)動(dòng)電路，它是EXB841的改進(jìn)型。

一、VLA517的工作原理剖析

VLA517是IGBT 驅(qū)動(dòng)專用模塊，它由放大電路、過(guò)流保護(hù)、5V基準(zhǔn)電壓和輸出等部分組成。工作電壓為+20V，采用高速光耦實(shí)現(xiàn)隔離。其結(jié)構(gòu)和工作原理如下。

（一）導(dǎo)通過(guò)程

（二）關(guān)斷過(guò)程

（三）過(guò)流保護(hù)動(dòng)作

（一）降低過(guò)流保護(hù)的閾值

在快速恢復(fù)二極管后面串接相同規(guī)格的二極管，其個(gè)數(shù)根據(jù)保護(hù)閾值而定，或者反相串接一個(gè)穩(wěn)壓管[2]，以保證在IGBT輕度過(guò)流時(shí)，就能發(fā)現(xiàn)并有效地關(guān)斷。連接電路如圖2所示，。該電路是在快恢復(fù)二極管后串聯(lián)了一個(gè)3V的穩(wěn)壓管IN4727，以降低過(guò)流保護(hù)的閾值。

（二）VLA517內(nèi)部1號(hào)和9號(hào)管腳內(nèi)的穩(wěn)壓二極管易損問(wèn)題的解決辦法

VLA517的管腳1和9間的穩(wěn)壓二極管VZ2的額定功率為0.5W，易于損壞[3]。VZ2損壞以后，1號(hào)管腳將懸空。通過(guò)設(shè)計(jì)外部電路，可以避免VZ2的損壞。具體做法是在VLA517的管腳2和9之間串接一個(gè)電阻和一個(gè)穩(wěn)壓管，利用IN4733向IGBT的E極提供的5V電位。這樣，即使VZ1已損壞，VLA517仍然可以正常使用，只需更換VZ1即可。如圖2所示，C2和R3構(gòu)成吸收回路。

圖2 改進(jìn)后的VLA517的驅(qū)動(dòng)電路圖

總之，通過(guò)降低過(guò)流保護(hù)閾值，確保了IGBT的安全性；通過(guò)外加電路改造了VLA517，使穩(wěn)壓管損壞后便于更換，因而降低了成本，使用更安全、可靠。改進(jìn)后的電路已經(jīng)用于配電網(wǎng)單項(xiàng)接地的故障信號(hào)源的發(fā)生器中。

參考文獻(xiàn)：

[1]陳長(zhǎng)江IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路EXB841的應(yīng)用研究[J]武漢船舶職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào)，2004，（4）：22-23

igbt驅(qū)動(dòng)電路范文第2篇

下面以2SD315A為例，對(duì)CONCEPT公司驅(qū)動(dòng)器加以說(shuō)明：

配套能力強(qiáng)，1 700 V，2 500 V，3 300 V三種電壓等級(jí)；內(nèi)部雙DC／DC變換器，兩路驅(qū)動(dòng)電源隔離；單15 V供電，內(nèi)部+15 V，-15 V由DC／DC變換器得到；用變壓器隔離，工作頻率100 kHz；-40～+85 ℃工作范圍；獨(dú)立工作方式或半橋工作方式；CMOS／TTL信號(hào)輸入；隔離電壓4 000 Vrms；UCE監(jiān)控短路過(guò)流；死區(qū)時(shí)間可調(diào)；故障記憶鎖定輸出；欠壓(

4.8 EUPEC公司系列驅(qū)動(dòng)器

EUPEC公司驅(qū)動(dòng)器主要有兩種：

2ED020I12-F：1 200 V等級(jí)，±15 V／+l A／－2 A，無(wú)磁心變壓器驅(qū)動(dòng)；2ED300C17-S／ST：1 700 V等級(jí)，±15 V／30 A，變壓器驅(qū)動(dòng)

4.9 光纖隔離驅(qū)動(dòng)

自世界上第一只MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái)，電壓控制型電力電子器件特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程。 IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時(shí)，與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了大力發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣，電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大，電磁干擾也相應(yīng)增大。在這種情況下，提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí)己成為一種趨勢(shì)。光纖的使用也就成為了一種必然。

(1)IGBT驅(qū)動(dòng)隔離的幾種方式

不同功率等級(jí)的器件，對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同，下表給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較(見表20)。

(2)光纖收發(fā)器的種類

目前，大部分光纖收發(fā)器均使用Aglient公司的幾種產(chǎn)品型號(hào)。具體見表21(表中數(shù)據(jù)均為0～70℃使用條件，特殊標(biāo)注除外)。

一般情況下，HFBR-1522，HFBR-2522使用較多，在大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中，控制板與大功率模塊驅(qū)動(dòng)板之間1MBd的信號(hào)傳輸率已滿足要求，而且45m的距離也已足夠使用，在實(shí)際使用中，光纖的長(zhǎng)度可依要求選擇(見圖35、圖36及圖37)。

(3)光纖傳輸在驅(qū)動(dòng)電路中的具體應(yīng)用

igbt驅(qū)動(dòng)電路范文第3篇

【關(guān)鍵詞】QTM系列；觸發(fā)模塊；應(yīng)用研究

隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，晶閘管在機(jī)電領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用，改變了傳統(tǒng)的機(jī)電設(shè)備電氣控制方式。晶閘管控制電路有多種，常用的包括脈沖變壓器觸發(fā)電路、光電耦合器驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)電路和IGBT驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)電路，光電耦合器驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)電路和IGBT驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)電路又分為隨機(jī)觸發(fā)電路、電壓過(guò)零觸發(fā)電路。

1.觸發(fā)方式比較

傳統(tǒng)的脈沖變壓器觸發(fā)電路，全部基于分立元件，不僅電路成本高，而且故障率也較高，在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)逐步被淘汰，取而代之的是低成本的模塊化觸發(fā)電路。

利用MOC系列光電耦合器做驅(qū)動(dòng)電路的觸發(fā)模塊應(yīng)運(yùn)而生，但由于光電耦合器的斷態(tài)電壓臨界上升率參數(shù)（dv/dt）比較低（只有600V/μS），因而不可避免的會(huì)在初始上電時(shí)給晶閘管一個(gè)觸發(fā)脈沖，造成晶閘管瞬間誤導(dǎo)通。這種瞬間誤導(dǎo)通，不僅給負(fù)載造成損害，也給電網(wǎng)帶來(lái)電流沖擊，影響電網(wǎng)質(zhì)量，并且給晶閘管模塊也帶來(lái)極大的浪涌電流沖擊。在工業(yè)加熱、烘箱、烘房加熱及無(wú)功功率補(bǔ)償中電容投切的實(shí)際使用中，由于加熱器在冷態(tài)電阻很小，電容器在初始狀態(tài)時(shí)電阻趨近于零，會(huì)造成晶閘管模塊因上電時(shí)的涌流而損壞。

QTM系列觸發(fā)塊是一種新型的觸發(fā)電路，它采用大功率器件IGBT做驅(qū)動(dòng)元件，不僅提高了驅(qū)動(dòng)能力，由于IGBT的斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt的極限值已經(jīng)超過(guò)5000V/μs，也就避免了晶閘管模塊上電時(shí)的誤導(dǎo)通現(xiàn)象。下面，本文就QTM觸發(fā)電路的工作機(jī)理和應(yīng)用加以論述。

2.觸發(fā)模塊工作原理

外界控制信號(hào)加到觸發(fā)塊的控制端時(shí)，經(jīng)過(guò)內(nèi)部的光電隔離器件加到IGBT的驅(qū)動(dòng)控制電路，驅(qū)動(dòng)電路輸出高電位并輸出到IGBT的柵極，柵極的高電位驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通，IGBT通過(guò)電壓轉(zhuǎn)換電路提供的能量輸出觸發(fā)電流，驅(qū)動(dòng)晶閘管導(dǎo)通。

當(dāng)負(fù)載端由于某種原因出現(xiàn)過(guò)大的電流時(shí)，觸發(fā)模塊內(nèi)部的保護(hù)電路會(huì)動(dòng)作，使IGBT的柵極變?yōu)榈碗娖?，IGBT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?。因此IGBT不會(huì)因?yàn)檫^(guò)電流而過(guò)熱損壞。

當(dāng)電網(wǎng)中出現(xiàn)過(guò)高的電壓脈沖時(shí)，內(nèi)部保護(hù)電路也會(huì)動(dòng)作并泄放掉高電壓，以保護(hù)IGBT不會(huì)因過(guò)電壓而擊穿損壞。

QTM觸發(fā)電路中還設(shè)計(jì)了干擾抵制電路，以濾除電網(wǎng)中各種干擾脈沖，防止因干擾脈沖而使晶閘管產(chǎn)生誤觸發(fā)。

QTM觸發(fā)模塊采用PCB線路板直插式的焊接安裝方式，具有較高的門極觸發(fā)功率，能夠滿足普通晶閘管的觸發(fā)需要；輸入與輸出之間采用光電隔離，輸入與輸出間的絕緣耐受電壓不小于5300V，適用于額定電壓交流380V及以下的主電路。

3.技術(shù)特性

以過(guò)零型控制產(chǎn)品為例，QTM觸發(fā)模塊與光耦驅(qū)動(dòng)觸發(fā)模塊實(shí)際測(cè)試波形如圖1和圖2：

圖1 QTM過(guò)零觸發(fā)測(cè)試波形

圖2 光耦驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)模塊過(guò)零觸發(fā)測(cè)試波形

由圖中可見，QTM系列觸發(fā)模塊的觸發(fā)開通電壓不到10V，而光電耦合器驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)模塊的觸發(fā)開通電壓達(dá)到20V以上；QTM系列觸發(fā)模塊的觸發(fā)開通時(shí)間不到400μs，而光電耦合器驅(qū)動(dòng)的觸發(fā)模塊的觸發(fā)開通時(shí)間超過(guò)700μs。較小的開通電壓、較短的開通時(shí)間，不僅減小了對(duì)負(fù)載的電流沖擊，而且避免了在晶閘管模塊在開通時(shí)諧波的產(chǎn)生，從而減小和避免了對(duì)電網(wǎng)質(zhì)量的干擾。

4.結(jié)束語(yǔ)

igbt驅(qū)動(dòng)電路范文第4篇

1　概述

SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊是德國(guó)西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型IGBT／MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊。SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊主要有以下特點(diǎn)：

僅需一個(gè)不需隔離的＋15V電源供電?

抗dV／dt能力可以達(dá)到75kV／μs?

控制電路和IGBT主電路之間的隔離電壓可以達(dá)到4kV

    輸出峰值電流可以達(dá)到30A?

同一橋臂上下開關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)具有互鎖功能，可以防止兩個(gè)開關(guān)管的貫穿導(dǎo)通?

死區(qū)時(shí)間、VCE的監(jiān)控、RGON／OFF可以分別調(diào)節(jié)，因而可以對(duì)不同用戶的特殊需求進(jìn)行優(yōu)化?

可以輸出差錯(cuò)信號(hào)以通知控制系統(tǒng)?

具有過(guò)流、欠壓保護(hù)功能。

下面主要以SKHI22A為例，對(duì)SKHI系列驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)行介紹。

2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理

SKHI22A／B引腳功能排列如表1所列。圖1所示是SKHI系列驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部電路原理圖。

表1 SKHI22A的引腳功能

引腳號(hào)引腳名稱引腳說(shuō)明P14GND/0V相應(yīng)輸入信號(hào)的地P13Vs電源+15V±4%P12VIN1上開關(guān)管的輸入開關(guān)信號(hào)1，+5V邏輯（對(duì)于SKHI22A/21A為+15V邏輯）P11FREE空置P10ERROR差錯(cuò)輸出，低有效，集電極開路輸出，最大為30V/15mAP9TDT2通過(guò)接地或接Vs數(shù)字調(diào)節(jié)橋臂上下開關(guān)管的死區(qū)時(shí)間P8VIN2下管的輸入開關(guān)信號(hào)1，+5V邏輯（對(duì)于SKHI22A/21A為+15V邏輯）P7GND/0V相應(yīng)輸入信號(hào)的地S20VCE1接IGBT1的集電極（上開關(guān)管）S15CCE1通過(guò)外接RCE和CCE來(lái)調(diào)節(jié)參考電壓S14GON1接RON到IBGT1的基極S13GOFF1接ROFF到IBGT1的基極S12E1接IGBT1的發(fā)射極（上開關(guān)管）S1VCE2接IGBT2的集電極（下開關(guān)管）S6CCE2通過(guò)外掃RCE和CCE來(lái)調(diào)節(jié)參考電壓S7GON2接RON到IGBT2的基極S8GOFF2接ROFF到IGBT2的基極S9E2接IGBT2的發(fā)送極（下開關(guān)管）2．1 SKHI22A／B的脈沖整形電路

SKHI中的脈沖整形電路的作用是在控制IBGT的脈沖信號(hào)輸入后，用短脈沖抑制電路對(duì)脈沖寬度小于500ns的開關(guān)脈沖進(jìn)行抑制，以使其不能傳遞到IGBT，這樣可以有效的抑制電磁干擾引起的電壓尖峰對(duì)開關(guān)管的誤觸發(fā)，從而提高驅(qū)動(dòng)電路的抗干擾能力。另外，模塊還可以對(duì)輸入的觸發(fā)脈沖進(jìn)行整形（例如常用的SG3525芯片所產(chǎn)生的脈沖在上升沿往往有電壓尖峰，而且在脈沖高低電平時(shí)有時(shí)電平會(huì)有波動(dòng)），而且在經(jīng)過(guò)SKHI整形輸出以后，波形已十分標(biāo)準(zhǔn)，因而能可靠地對(duì)IGBT進(jìn)行控制。

2．2 SKHI22A／B的脈沖互鎖電路

脈沖互鎖電路的互鎖時(shí)間由外接端子TDT1、TDT2和SECELT所接的高低電平來(lái)決定。同時(shí)可由這三個(gè)端子進(jìn)行數(shù)字調(diào)節(jié)（SKHI22A只有TDT2）。這種設(shè)計(jì)可以使不同開關(guān)速度的開關(guān)器件的互鎖時(shí)間均大于IGBT的關(guān)斷延遲時(shí)間，從而避免貫穿導(dǎo)通。

2．3 SKHI22A／B的欠壓保護(hù)電路

模塊內(nèi)部欠壓保護(hù)電路的作用是當(dāng)電源電壓低于＋13V時(shí)，將差錯(cuò)輸出端的電平拉低，以輸出差錯(cuò)信號(hào)。

以上三部分控制電路被集成在一塊ASIC中，與一般的分立元件組成的電路相比，這樣可以大大的提高控制電路的抗干擾能力，同時(shí)可靠性也得到了提高。另外，SKHI系列器件的初級(jí)（控制部分）和次級(jí)（主電路部分）之間還可通過(guò)變壓器實(shí)現(xiàn)隔離。

2．4 SKHI22A／B驅(qū)動(dòng)器的輸出級(jí)

SKHI驅(qū)動(dòng)器件的輸出級(jí)采用MOSFET晶體管互補(bǔ)電路的形式以降低驅(qū)動(dòng)源的內(nèi)阻，同時(shí)可加速IG-BT的關(guān)斷過(guò)程。圖2所示是其輸出級(jí)電路。圖中，MOSFET的源極分別和外部端子進(jìn)行連接，這樣即可通過(guò)分別串接的RON和ROFF調(diào)節(jié)IGBT的開通和關(guān)斷速度；內(nèi)部集成電壓源可提高模塊的可靠性；通過(guò)調(diào)節(jié)電源電壓可以在不減小VGE的情況下提供滿功率輸出脈沖，從而防止因IGBT退出飽和而損壞。

2．5 SKHI22A／B的短路保護(hù)

SKHI模塊利用“延時(shí)搜索過(guò)電流保護(hù)”方法?通過(guò)檢測(cè)IGBT通態(tài)壓降的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)IGBT的過(guò)電流保護(hù)。當(dāng)電路出現(xiàn)短路時(shí)，出錯(cuò)信號(hào)將由VCE輸入并通過(guò)脈沖變壓器傳遞到差錯(cuò)控制器，以封鎖所有到IGBT的脈沖并觸發(fā)出錯(cuò)信號(hào)端（P10）。該模塊通過(guò)調(diào)節(jié)檢測(cè)VCE電壓信號(hào)的延時(shí)可以避免錯(cuò)誤短路信號(hào)；其內(nèi)部帶有故障缺省記憶功能，可以防止重復(fù)的高電流脈沖對(duì)開關(guān)管的損壞，經(jīng)過(guò)幾個(gè)重復(fù)的高脈沖之后可以永久封閉脈沖輸出。此外，它還同時(shí)帶有差錯(cuò)信號(hào)輸出，可以通知主控制板做出相應(yīng)的動(dòng)作。

2．6 SKHI22A／B的電壓隔離

使用帶涂層的環(huán)形鐵氧體變壓器可以使輸入和輸出級(jí)之間的隔離電壓達(dá)到4kV。這是使用光耦作隔離驅(qū)動(dòng)器件所不能達(dá)到的。使用脈沖變壓器代替光耦在原副邊之間可以防止很高的dV／dt（可以達(dá)到75kV／μs）。

2．7 SKHI22A／B的輔助電源

由于SKHI模塊內(nèi)部有帶隔離變壓器的DC／DC變換器，因而可以節(jié)省外部變壓器并可使設(shè)計(jì)布局更加緊湊；在輔助電源原邊有欠電壓監(jiān)控電路，這樣可以保證IGBT有一個(gè)安全可靠并能提供足夠功率的門極驅(qū)動(dòng)電路；每個(gè)IGBT采用相互獨(dú)立的電源。因此，其電源之間的耦合電容很小，從而提高了開關(guān)信號(hào)的抗干擾能力。

3　應(yīng)用電路

igbt驅(qū)動(dòng)電路范文第5篇

關(guān)鍵詞：智能功率模塊；故障檢測(cè)；三菱IPM

A design of periphery interface circuit based on

Mitsubishi IPM module

ZHANG Shu-min，ZHANG Cun-shan，WANG Sheng-bo，SUN Qi-shan

（Shan Dong University of Technology， Zibo 255091）

Abstract: Mitsubishi IPM basic work characteristics are introduced.The external interface circuit design of the IPM module which taking 5th generation Intelligent Power Module PS21563-P for example. To make the system safe and reliable operation，and take full advantage of the module fault detection and protection circuit on the basis of proposed over-voltage and under-voltage protection . Finally，the practical application shows that the interface circuit design has the advantages of simple structure，reliable operation.

Keywords: intelligent power module；fault detection；mitsubishi IPM

由于IPM模塊的高集成化、智能化、小型化、保護(hù)電路功能齊全、控制驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛的應(yīng)用于伺服電機(jī)等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的IPM使用了分立元器件，使的控制電路難以實(shí)現(xiàn)低成本小型化要求，而且控制電路的寄生電容或電感產(chǎn)生的噪音有時(shí)會(huì)使IGBT產(chǎn)生誤動(dòng)作[1]。隨著開關(guān)頻率的不斷提高，加劇了寄生電容或電感對(duì)電路的影響。為了提高變頻系統(tǒng)的可靠性，實(shí)現(xiàn)小型化、降低系統(tǒng)成本，本文以三菱公司的第五代IPM模塊PS21563-P為例，介紹了IPM驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的設(shè)計(jì)，并提供了一種IPM過(guò)、欠壓保護(hù)功能硬件的設(shè)計(jì)方法。

1 IPM基本工作特性簡(jiǎn)介

1.1 IPM的結(jié)構(gòu)

IPM智能功率模塊將IGBT芯片、快速二極管，控制和驅(qū)動(dòng)電路，欠壓、過(guò)流、短路和過(guò)熱保護(hù)電路、自診斷電路等封裝在一起，從而使電力電子逆變器獲得了高頻化、小型化、高可靠性和易維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)，也使得整個(gè)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，成本降低。由于采用了兩種不同的封裝技術(shù)，使得內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路能適用的電流范圍更寬。小功率器件采用多層環(huán)氧樹脂粘合絕緣技術(shù)，而中大功率器件采用一種陶瓷絕緣技術(shù)[2]。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可以分為單管封裝H型、雙管封裝D型、六合一封裝C型和七合一封裝R型四種形式。以六合一封裝C型IPM為例，其內(nèi)部功能框圖如圖1所示。

1.2 IPM的保護(hù)功能

IPM內(nèi)置有控制電源的欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)和短路保護(hù)，當(dāng)其中任一種保護(hù)功能動(dòng)作出現(xiàn)時(shí)，IGBT驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)封鎖門極，并輸出一個(gè)故障信號(hào)。

(1)短路保護(hù)(SC) IPM的N-side(下臂)具有短路(SC)保護(hù)，并且可產(chǎn)生故障信號(hào)。若負(fù)載發(fā)生短路或控制系統(tǒng)發(fā)生故障導(dǎo)致短路，通過(guò)旁路電阻和RC檢測(cè)到下橋臂直流母線電壓的線電流超過(guò)短路電流的參考電壓值，并且短路時(shí)間超過(guò)toff(SC)時(shí)，則發(fā)生短路保護(hù)，所有下橋臂IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)單元都將被封鎖，并輸出故障信號(hào)。

(2)控制電壓欠壓保護(hù)(UV) IPM的上、下橋臂都設(shè)有欠壓保護(hù)(UV)功能，當(dāng)控制電壓降低時(shí)，會(huì)導(dǎo)致IGBT的Vce(sat)功耗增加，為了防止過(guò)熱而損壞元件，當(dāng)檢測(cè)到控制電壓低于12.5 V時(shí)，發(fā)生欠壓保護(hù)，IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)單元都將被封鎖，并輸出故障信號(hào)。

(3)過(guò)溫保護(hù)(OT) 七管封裝的R型IPM在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝有溫度傳感器。IPM溫度傳感器可以直接檢測(cè)IGBT單元硅片的溫度，當(dāng)溫度超過(guò)設(shè)定值(OT動(dòng)作電平)時(shí)，IGBT封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，并輸出故障信號(hào)。

(4)過(guò)流保護(hù)(OC) 有些六管封裝的C型IPM具有過(guò)流保護(hù)功能。當(dāng)流過(guò)IGBT的電流超過(guò)過(guò)流值時(shí)，發(fā)生過(guò)流保護(hù)，IGBT封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。

當(dāng)IPM發(fā)生UV、OT、OC、SC任一故障時(shí)，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tOF為1.8 ms，在一般情況下SC持續(xù)時(shí)間會(huì)更長(zhǎng)一些。此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)封鎖門極信號(hào)，關(guān)斷IPM。故障輸出信號(hào)結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開放。由此可見，器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)不能持續(xù)，若tOF結(jié)束后故障仍沒(méi)有排除，IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)過(guò)程，反復(fù)動(dòng)作。這種情況對(duì)系統(tǒng)是極其不利的。因此，只靠IPM內(nèi)部自身的保護(hù)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行是不夠的，還需要輔助的保護(hù)電路。