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化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)范文第1篇

關(guān)鍵詞：晶圓拋光霧 Haze目檢表現(xiàn) Haze分級 CMP工藝

中圖分類號：TN3 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1007-3973（2012）002-046-02

1 引言

隨著 IC圖形特征線寬向更小方向的迅速發(fā)展，對晶圓襯底的表面質(zhì)量要求越來越高。晶圓拋光霧是高質(zhì)量拋光的重要參數(shù)之一，尤其是對晶圓精拋質(zhì)量的評價(jià)更加重要。化學(xué)機(jī)械拋光工藝一直是晶圓表面平坦化的主流方法，并且已經(jīng)被整合到整個(gè)半導(dǎo)體和集成電路制造中。CMP技術(shù)是將機(jī)械摩擦和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的工藝，同時(shí)兼收了二者的優(yōu)點(diǎn)，可以獲得比較完美的晶片表面。

2 Haze簡介

晶圓拋光霧指拋光后在晶圓表面留下的密度為105/cm2微淺損傷缺陷，該缺陷在強(qiáng)聚光燈照射下產(chǎn)生光的散射給人眼的感覺像霧。這些微淺損傷包括：高密度的凹坑、小丘和拉絲（也叫擦傷是指在經(jīng)過嚴(yán)格清洗處理的拋光面上所見到的一些無規(guī)則的輕微劃痕）等，Haze在強(qiáng)火燈下的具體目檢表現(xiàn)為一種像燈絲發(fā)散狀的結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)的清晰程度和粗細(xì)可表征晶圓表面亞損傷層的輕重；通常的Haze一般認(rèn)為產(chǎn)生于精拋過程。

如果Haze在晶圓上分布不均，像只覆蓋部分硅片或是在整片區(qū)域中由重到輕則稱為taper haze。

Haze的顏色通常表現(xiàn)為白色、灰色或淡藍(lán)色。

2.1 Haze的分級

通常將其分為四個(gè)等級，即：

(1)級霧（no haze）

這種等級的Haze通常認(rèn)為是無霧的，在強(qiáng)聚光燈的直射下晶圓表面幾乎看不到燈絲狀的放射結(jié)構(gòu)；

(2)級霧（light haze）

在強(qiáng)聚光燈的直射下晶圓表面可依稀看到有燈絲狀的放射輪廓，但其結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)不易看到；

(3)級霧（medium haze）

在強(qiáng)聚光燈的直射下晶圓表面燈絲狀的放射輪廓清析可見，長燈絲狀的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)也可以看到，但不太密集；

(4)級霧（heavy haze）

在強(qiáng)聚光燈的直射下晶圓表面可清析看到長燈絲狀的結(jié)構(gòu)密集地交織于一個(gè)空心圓環(huán)。

2.2 不同級別Haze晶圓在金相顯微鏡DIC法下的表現(xiàn)

圖1 1級Haze顯微鏡下照片 圖2 2級Haze顯微鏡下照片

圖3 3級Haze顯微鏡下照片 圖4 4級Haze顯微鏡下照片

3 Haze的控制

Haze的形成機(jī)理為精拋過程不充分，精拋后在晶圓表面留下的微淺損傷缺陷導(dǎo)致。具體原因有：精拋墊種類和質(zhì)量的影響；精拋液種類及配制的影響；精拋工藝參數(shù)設(shè)置不合理，如壓力、時(shí)間、拋光機(jī)大盤及壓頭相對轉(zhuǎn)速、拋光溫度、拋光液和純水流量等設(shè)置不當(dāng)。當(dāng)然除了精拋不充分外，還有一些其他因素也可導(dǎo)致晶圓表面有霧狀缺陷，如拋光后化學(xué)清洗液的輕微蝕刻、與空氣接觸后中在表面形成的化學(xué)薄膜等，但其細(xì)節(jié)表現(xiàn)與Haze表現(xiàn)不同，查找缺陷原因時(shí)需注意。

3.1 精拋墊的影響

(1)精拋墊壽命的影響

拋光過程中，拋光墊有貯存、輸送拋光液到加工區(qū)域、除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物質(zhì)、傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷、維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境等功能。在拋光墊使用壽命的中后期，拋光過程中的機(jī)械作用與化學(xué)作用會同時(shí)降低（機(jī)械作用降低速率比化學(xué)作用降低速率要慢）。拋光速率也將慢慢降低，機(jī)械作用與化學(xué)作用逐漸失衡，這導(dǎo)致haze程度隨拋光墊使用時(shí)間的延長而升高，在生產(chǎn)過程中選擇合適的拋光墊壽命，確保晶圓 CMP的質(zhì)量。

(2)精拋墊種類的影響

不同種類的精拋墊其細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)、使用壽命通常不同，在使用的過程中表現(xiàn)也不一樣，因此在生產(chǎn)中引入新種類拋光墊時(shí)要做充分的試驗(yàn)評價(jià)，在保證Haze正常的情況下，其他表現(xiàn)也要同時(shí)評估，如顆粒水平、OISF劃道等。

(3)精拋墊過保質(zhì)期

若使用已過保質(zhì)期的拋光墊很快就會像上述3.1.（1）中情況一樣產(chǎn)生haze。

(4)在制備或存儲過程受到石油或表面活性劑的污染等。

3.2 精拋光液的影響

不同種類的拋光液粘度、活性、PH值等不同，從而拋光工藝參數(shù)設(shè)置也不相同。精拋液配制比例不正確導(dǎo)致的化學(xué)腐蝕過快或過慢也會引起haze的產(chǎn)生。

3.3 精拋工藝參數(shù)的影響

(1)壓力控制

精拋過程的去除量非常小，壓力過大或過小都會致使霧的產(chǎn)生或加重，壓力的設(shè)置需根據(jù)具體的拋光設(shè)備及所用原材料在生產(chǎn)中開展一系列試驗(yàn)，調(diào)試出合適的壓力，通常壓力的設(shè)置不易過高，如單位面積上晶圓承壓在120g/cm2左右。

(2)相對轉(zhuǎn)速控制

拋光機(jī)大盤及壓頭轉(zhuǎn)速對haze有著重要的影響，其直接影響拋光過程中的溫度。精拋是恒溫拋光的過程，轉(zhuǎn)速的設(shè)置在很大程度上決定了要達(dá)到合適溫度的時(shí)間及精拋的充分性；同時(shí)還要保證大盤轉(zhuǎn)速與壓頭轉(zhuǎn)速的協(xié)調(diào)，若此項(xiàng)失配則會引起taper haze；對于多頭拋光設(shè)備通常溫度設(shè)置在30-35℃之間。

(3)流量控制

精拋過程中拋光液為一次性使用，拋光液流量通常控制可均勻分散到拋光墊上即可；但不能太小，流量太小會增大機(jī)械磨擦，由此引起的溫度分布不均會產(chǎn)生其他質(zhì)量問題。

(4)時(shí)間控制

供給拋光液階段，在其他狀況正常的情況下，延長高壓段拋光液拋光時(shí)間可減輕或消除haze；水拋階段，在其他狀況正常的情況下縮短或取消水拋光時(shí)間可明顯的減輕或消除haze。

4 結(jié)論

綜上所述，CMP精拋過程中有效控制和消除消除晶圓Haze，在保證高質(zhì)量的拋光墊和拋光液的前提下，選擇合適的拋光工藝是非常重要的。

參考文獻(xiàn)：

化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)范文第2篇

【關(guān)鍵詞】整體葉盤；機(jī)器人；自動化拋光

整體葉盤技術(shù)在20世紀(jì)80年代第一次出現(xiàn)，當(dāng)時(shí)的整體葉盤技術(shù)主要是用于將發(fā)動機(jī)的葉片進(jìn)行整合，對于一些結(jié)構(gòu)復(fù)雜、操作性差的機(jī)器具有良好的應(yīng)用效果。當(dāng)前我國對整體葉盤的加工主要有數(shù)字加工和手工加工兩種模式。這兩種方式在加工效率和質(zhì)量上都難以有良好的保障，尤其是手工加工的方式下，加工人員需要長期在惡劣的工作環(huán)境中進(jìn)行工作，并且故障的發(fā)生率極高，不光給企業(yè)造成了經(jīng)濟(jì)損失，甚至?xí){到加工人員的生命安全。機(jī)器人的自動拋光技術(shù)較好的解決了這些問題。

1.整體葉盤的結(jié)構(gòu)特性

與傳統(tǒng)的葉盤結(jié)構(gòu)相比，整體葉盤在結(jié)構(gòu)的整體性上有了明顯的提高。在整體葉盤結(jié)構(gòu)中省去了榫頭、榫槽等部件，較少了氣流在榫頭上的損失，同時(shí)還減輕了整體葉盤的重量。此外，在整體葉盤的結(jié)構(gòu)上采用的是窄流道的布局方式，能夠有效的提高氣體的流動性，但這也給整體葉盤的拋光帶來了一定的難度，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。

首先，在整體葉盤中盤體的結(jié)構(gòu)通常是錐型的，從而導(dǎo)致重量分布不均勻，通道較窄，可使用的模具類型十分有限，在加工的過程中還容易對葉盤產(chǎn)生損害。

第二，整體葉盤的葉片較薄，延展性大，但強(qiáng)度差，一旦受到外力作用容易發(fā)生形變甚至斷裂的現(xiàn)象，并且拋光的程度難以控制，在拋光的過程中容易產(chǎn)生拋光過度的現(xiàn)象。

第三，由于整體葉盤的葉盤結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，在數(shù)據(jù)計(jì)算的過程中容易產(chǎn)生誤差，另外，拋光設(shè)備的使用、夾具的使用、機(jī)床的操作過程等都容易使數(shù)據(jù)發(fā)生偏差，從而導(dǎo)致最終的成品不符合加工要求。

第四，整體葉盤的排氣口在兩邊，并且在橫截面積上較小，在形狀輪廓上也有較高的要求，在外力的作用下容易產(chǎn)生磨損或故障。

第五，在整體葉盤的拋光過程中主要采用的是球頭刀，容易對葉片產(chǎn)生不均勻的拋光效果，在表面的平整光滑度上難以達(dá)到要求。

2.機(jī)床設(shè)計(jì)要求

為了保證整體葉盤的功能實(shí)現(xiàn)及加工質(zhì)量，在拋光工藝上要做到良好的把控，并在保證加工質(zhì)量的前提下，盡量提高加工的經(jīng)濟(jì)性。具體的設(shè)計(jì)要求有以下幾點(diǎn)：

2.1多軸聯(lián)動

整體葉盤結(jié)構(gòu)中多曲面，在加工過程中采用多軸聯(lián)動的方式可以提高加工效率。在數(shù)控技術(shù)的不斷發(fā)展下，多軸聯(lián)動的加工方式已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)，對于部分部件的加工甚至能夠達(dá)到五軸以上的聯(lián)動。多軸聯(lián)動的加工方式不僅能夠提高材料的利用效率，還能減少刀具對材料的影響。

2.2高精度

整體葉盤的拋光對于精度的要求較高，為此首先應(yīng)當(dāng)保證數(shù)據(jù)計(jì)算的精確性，其次在加工設(shè)備的選擇上也應(yīng)盡量選擇穩(wěn)定性高、加工效率高的加工設(shè)備。當(dāng)前我國的整體葉盤加工對于精度的要求已經(jīng)達(dá)到了納米級別，并通過機(jī)床的有效調(diào)控得以實(shí)現(xiàn)。要保證加工表面具有良好的表面一致性，形成均勻的拋光紋路，必須使切觸點(diǎn)數(shù)量與加工表面外形很好地結(jié)合起來。

2.3自動化程度高

提高整體葉盤加工的自動化程度可以有效減少外部因素對加工效果的影響，此外還能有效提高加工的效率，降低加工成本，確保企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益。

3.關(guān)鍵零部件設(shè)計(jì)

3.1直線導(dǎo)軌

直線導(dǎo)軌是整體葉盤中重要的部件，在一定程度上直線導(dǎo)軌的質(zhì)量將直接決定數(shù)控機(jī)床的功能。當(dāng)前，我國在整體葉盤加工中使用的直線導(dǎo)軌主要是滾柱式的直線導(dǎo)軌。這種直線導(dǎo)軌強(qiáng)度大、穩(wěn)定性強(qiáng)、摩擦系數(shù)小、使用年限長，對于提高加工的精度和效率具有良好的效果。

3.2滾珠絲

滾珠絲的作用主要是將葉片的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動轉(zhuǎn)變?yōu)橹本€運(yùn)動，因此滾珠絲是作為直線驅(qū)動設(shè)置在整體葉盤結(jié)構(gòu)中的。滾珠絲可以提高數(shù)控機(jī)床的加工速率以及加工精度。選用傳動效率高、定位精度高、傳動可逆性、使用壽命長和同步性能好的內(nèi)循環(huán)墊片預(yù)緊螺母式滾珠絲。

3.3柔性磨頭

柔性磨頭是實(shí)現(xiàn)葉盤表面拋光效果的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。柔性磨頭通常由四個(gè)氣缸和四個(gè)傳感器構(gòu)成。通過柔性磨頭的使用可以實(shí)現(xiàn)拋光磨具與工件間壓力數(shù)據(jù)的采集、傳送及調(diào)節(jié)。3個(gè)氣缸通過氣缸座安裝于電主軸套上，用來調(diào)節(jié)徑向的壓力，軸向氣缸安裝于拋光機(jī)構(gòu)的頂部，用來調(diào)節(jié)軸向的。

3.4刀位點(diǎn)數(shù)據(jù)生成

拋光軌跡主要是指刀具切觸點(diǎn)的運(yùn)行軌跡，要保證拋光紋路的均勻，就需要加工表面外形與使切觸點(diǎn)數(shù)量吻合，避免出現(xiàn)欠切或過切現(xiàn)象，從而提高加工效率。刀位點(diǎn)數(shù)據(jù)主要是指刀心點(diǎn)的刀軸矢量及坐標(biāo)。具體公式為：

rt=rP+Rn

式中rt表示刀心的點(diǎn)矢；rP表示加工表面點(diǎn)P的點(diǎn)矢；R表示刀具半徑；n表示在P的處加工表面的法向矢量。

3.5切削行距的確定

在滿足設(shè)定的殘余高度下，合理的走刀行距應(yīng)該是最大走刀行距，其與殘余高度和刀具半徑密切相關(guān)。由幾何關(guān)系表示為：

1=2

式中：lh表示切削行距；k表示加工表面沿著切削方向的法曲率。

4.數(shù)控拋光機(jī)總體控制方案設(shè)計(jì)

整體葉盤與傳統(tǒng)的葉盤相比薄度較大，能夠承受的拋光力度較小，為控制葉盤的加工效果，必須制定良好的控制方案。整體葉盤機(jī)器人自動化拋光系統(tǒng)由關(guān)節(jié)型機(jī)器人、拋光刀具、機(jī)器人控制器、高精度伺服工作臺、力傳感器、工業(yè)PC機(jī)等組成。在整體葉盤的控制系統(tǒng)中應(yīng)當(dāng)包括中心的控制計(jì)算機(jī)、數(shù)控設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備等。通過這些設(shè)備的應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)對柔性磨頭的數(shù)字化控制，從而確保柔性磨頭能夠進(jìn)行精確、規(guī)范的作業(yè)，此外這一控制系統(tǒng)的使用還實(shí)現(xiàn)了對加工效果的實(shí)時(shí)監(jiān)控，操作人員能夠根據(jù)加工的效果調(diào)整機(jī)器的運(yùn)行和加工流程。

整體葉盤的外部造型也是控制的主要內(nèi)容。在進(jìn)行外部造成的加工前需要先通過計(jì)算機(jī)模擬葉片的截面曲線，在通過光順處理和放樣處理來確定加工的細(xì)節(jié)。內(nèi)、外環(huán)實(shí)體的造型是先生成內(nèi)、外環(huán)截面封閉曲線，再通過中心軸旋轉(zhuǎn)掃描而成。

5.結(jié)語

實(shí)現(xiàn)拋光刀具軌跡的自動生成，構(gòu)建整體葉盤自動化拋光系統(tǒng)，利用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行整體葉盤的自動化拋光，可以克服手工打磨的不足，提高拋光效率，完善整體葉盤表面質(zhì)量。拋光機(jī)器人的控制是一個(gè)復(fù)雜工程，現(xiàn)在處于摸索階段，需要進(jìn)一步完善，才能使本系統(tǒng)具有更強(qiáng)的控制能力。 [科]

【參考文獻(xiàn)】

[1]劉隨建，吳偉東.整體葉盤葉片光飾拋光試驗(yàn)及發(fā)展應(yīng)用探析[J].航空制造技術(shù)，2010（05）：84-86.

[2]任軍學(xué)，張定華，王增強(qiáng)等.整體葉盤數(shù)控加工技術(shù)研究[J].航空學(xué)報(bào)，2014（22）：205-208.

[3]王文理，王焱，王君等.航空發(fā)動機(jī)鈦合金焊接式整體葉盤數(shù)控銑削工藝及編程技術(shù)[J].航空制造技術(shù)，2011（25）：100-102.

化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)范文第3篇

【關(guān)鍵詞】微電子技術(shù)；發(fā)展歷程；發(fā)展趨勢

一、微電子技術(shù)概念分析

微電子學(xué)主要是對固體材料上微小型化電路、電路以及系統(tǒng)的電子學(xué)分支進(jìn)行研究，對在固體材料中電子或者粒子運(yùn)動的規(guī)律以及應(yīng)用進(jìn)行研究，并使信號處理功能得以實(shí)現(xiàn)，使電路的系統(tǒng)以及集成得以實(shí)現(xiàn)，具有較強(qiáng)的實(shí)用性。在現(xiàn)展中微電子技術(shù)是一種發(fā)展較快的技術(shù)，也是電子信息產(chǎn)業(yè)的心臟與基礎(chǔ)。微電子技術(shù)的發(fā)展使航天航空技術(shù)得到很大的推動，除此之外，通訊技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)以及計(jì)算機(jī)技術(shù)都得到快速的發(fā)展。微電子技術(shù)的大力發(fā)展與廣泛的應(yīng)用，掀起了一波電子戰(zhàn)、信息戰(zhàn)。在我們國家的國民經(jīng)濟(jì)中，電子信息產(chǎn)業(yè)已成了支柱性的產(chǎn)業(yè)，微電子信息技術(shù)也受到高度的關(guān)注，具有非常重要的意義?，F(xiàn)在，對一個(gè)國家科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步以及綜合國力的衡量的重要標(biāo)志就是微電子技術(shù)，微電子科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展以及產(chǎn)業(yè)的規(guī)模，也標(biāo)志著一個(gè)國家的經(jīng)濟(jì)實(shí)力。在微電子技術(shù)中，其重要的核心就是集成電路，也是電子工業(yè)的糧食。集成電路具有超大的規(guī)模以及可集成的水平，可以把電子系統(tǒng)集成在一個(gè)芯片上?？梢哉f微電子技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用引來了全球第三次的工業(yè)革命。

二、微電子技術(shù)發(fā)展歷程分析

微電子技術(shù)是一門新興的技術(shù)，起源于十九世紀(jì)末，二十世紀(jì)初期，主要是隨著集成電路而發(fā)展起來的，主要包括器件物理、系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)、材料制務(wù)、工藝技術(shù)以及自動測試，除此之外，還有組裝與封閉等一些專門的技術(shù)，也是微電子學(xué)中各個(gè)工藝技術(shù)的匯總。所以，微電子技術(shù)是通過電子電路以及系統(tǒng)的超小型化的過程一步步形成的，集成電路是其中的核心，也就是經(jīng)過相應(yīng)的加工工藝，把晶體管以及二極管等器件，根據(jù)相應(yīng)的電路互換，再使用微細(xì)的加工工藝，在一塊半導(dǎo)體的單晶片上進(jìn)行集成，并在一個(gè)外殼內(nèi)進(jìn)行封閉，對特定的電路或系統(tǒng)功能進(jìn)行執(zhí)行。與傳統(tǒng)電子技術(shù)比較，主要的特點(diǎn)是電路以及器件的微小型化。它把電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及制造的工藝進(jìn)行了有效的結(jié)合，并大規(guī)模的進(jìn)行批量生產(chǎn)，所以，成本比較低，并且具有較高的可靠性。

微電子產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了六十多年的發(fā)展，技術(shù)已接近理論的極限。數(shù)十年以來，不斷縮小集成電路內(nèi)的晶體管的尺寸以及線寬，其中改進(jìn)光刻技術(shù)是基本的方法，短波長的曝光光源是使用最多的。以前，紫外光是主要的光源，現(xiàn)在主要運(yùn)用深紫外線光刻技術(shù)，芯片線寬下降了很多，從理論上來講，主要是把集成電路的線寬進(jìn)行相應(yīng)的縮短。從二十世紀(jì)九十年代，摩托羅拉以及英特爾就開始對超紫外線光刻技術(shù)進(jìn)行了研發(fā)，它突破了集成電路線寬的最小限制。但是，這種縮小的情況不能長久的持續(xù)下去，技術(shù)上以及物理上的限制也會對這種持續(xù)造成阻礙。晶體管的尺寸小到一定的范圍，就必須對電子的量子效應(yīng)進(jìn)行考慮。那個(gè)時(shí)候，現(xiàn)有的技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了極限。不但如此，隨著不斷提高的集成度的集成電路，芯片的生產(chǎn)成本也在不斷的提高。

三、微電子技術(shù)未來發(fā)展趨勢分析

第一，關(guān)于光刻技術(shù)，利用波長的光線形成亞微米尺寸的圖形，并做出集成度為1M位和4M位的DRAM。射線曝光設(shè)備研發(fā)出來以后，可以形成半微米尺寸以及深亞微米尺寸的圖形。如今，使用準(zhǔn)分子激光器的光刻設(shè)備已開始進(jìn)行使用，有四分之一的微米尺寸的圖形形成。波長較短的激光器的光刻設(shè)備的使用，在二十一世紀(jì)初期投入使用的機(jī)率是非常高的。為了這一目標(biāo)得以實(shí)現(xiàn)，就要掩膜形成的技術(shù)以及光刻膠的材料進(jìn)行開發(fā)。研制開發(fā)X射線光刻設(shè)備的工作，已進(jìn)行了一段時(shí)間，無論是電子束曝光技術(shù)還是真空紫外線的曝光技術(shù)，也在全力的開發(fā)過程中，無論是哪一種技術(shù)都需要先投入實(shí)用，經(jīng)過一段時(shí)間的驗(yàn)證會成為下一個(gè)階段的主流技術(shù)。

第二，關(guān)于蝕刻技術(shù)，通過CER等離子源或具有高密度的等離子源，與具有特殊氣體以及靜電卡盤的技術(shù)進(jìn)行有效的結(jié)合，就能使上述的電路蝕刻工藝的要求得到一定的滿足。

第三，關(guān)于擴(kuò)散氧化技術(shù)，要想通過低成本來使晶體的質(zhì)量得到有效的保證，就要使用外延生長的技術(shù)，主要理由是同在晶體制作上努力，才能使質(zhì)量得到保證，才能使花費(fèi)的成本與質(zhì)量相對等，與外延生長的技術(shù)成本相比較低了很多。離子注入的技術(shù)水平得到快速的提升，可把電子伏特的高能量離子輸入晶體的內(nèi)部，能達(dá)到幾微米的深度。現(xiàn)在所用的氣體擴(kuò)散的方法，必須要在高溫中進(jìn)行長久的擴(kuò)散雜質(zhì)，才能有擴(kuò)散層形成。但是現(xiàn)在離子注入技術(shù)的利用，可把雜質(zhì)注入任意位置，經(jīng)過低溫?zé)岬奶幚碇螅湍苓_(dá)到同樣的效果。

第四，關(guān)于多層布線的技術(shù)，銅的電阻小于鋁，但作為下一代的布線材料，深受人們的關(guān)注。美國的半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會在發(fā)展的規(guī)劃中就把銅代替鋁列入其中，并把相應(yīng)的目標(biāo)以及技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定出來。銅布線主要使用鑲嵌的方法進(jìn)行制作，通過化學(xué)機(jī)械拋光的技術(shù)進(jìn)行相應(yīng)的研究，通過半導(dǎo)體級的電鍍技術(shù)進(jìn)行布線。銅很容易在絕緣膜中進(jìn)行擴(kuò)散，因此，在進(jìn)行銅布線的時(shí)候，還要使用拋壘金屬技術(shù)，能對銅的擴(kuò)散起到很好的預(yù)防作用。

第五，有關(guān)電容器材料，隨著不斷提高的集成度，電容器的材料，也就是氧化膜的厚變也發(fā)生了變化，進(jìn)入九十年代以后，氮化硅膜技術(shù)得到不斷的改善，并對立體的電容器結(jié)構(gòu)進(jìn)行不斷的改用，可以對所需的電容值起到保證作用。然而，此技術(shù)已接過極限，以后還有可能使用現(xiàn)在未使用的新的材料，例如氧化鉭膜以及高電容率材料等。

四、結(jié)語

通過以上的論述可以總結(jié)，二十世紀(jì)的人類已進(jìn)入了信息化發(fā)展的社會，對于微電子信息技術(shù)的要求也會越來越高，在二十一世紀(jì)，微電子技術(shù)也會是最具有活力，也是最重要的高科技領(lǐng)域之一，經(jīng)過對微電子技術(shù)發(fā)展歷程的分析，以及未來發(fā)展趨勢的分析，可以看得出，微電子技術(shù)的快速發(fā)展一定會給社會的發(fā)展帶來非常深刻的意義。

參考文獻(xiàn)

[1] 畢克允.微電子技術(shù)[M].北京：國際工業(yè)出版社，2000.

化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)范文第4篇

一、研究目標(biāo)與內(nèi)容

專題一、先進(jìn)制造

面向先進(jìn)制造業(yè)，聚焦集成電路、數(shù)控裝備、海洋工程與交通運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域，支持具有自主知識產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)的開發(fā)，實(shí)現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)的突破，提升自主創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)競爭力。

1、集成電路制造相關(guān)裝備及材料關(guān)鍵技術(shù)研究

研究目標(biāo)：圍繞極大規(guī)模集成電路制造相關(guān)裝備和材料開展關(guān)鍵技術(shù)研究，掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，形成工藝裝備的研發(fā)應(yīng)用能力和關(guān)鍵材料的批量生產(chǎn)能力，加快實(shí)現(xiàn)工藝裝備和關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化。

研究內(nèi)容：150mm硅片光學(xué)薄膜測量設(shè)備的研制與應(yīng)用技術(shù)；前段單晶圓清洗設(shè)備的設(shè)計(jì)制造及清洗成套工藝技術(shù)；納米級精度定位的三軸平面電機(jī)的設(shè)計(jì)、制造、驅(qū)動控制技術(shù)及系統(tǒng)集成技術(shù)；基于SOI技術(shù)的高壓器件成套技術(shù)和高壓SOI晶片批量生產(chǎn)制備技術(shù)；年產(chǎn)千噸級的高純有機(jī)化學(xué)試劑生產(chǎn)工藝技術(shù)；65納米及以下ULSI用銅化學(xué)機(jī)械拋光液的中試生產(chǎn)工藝技術(shù)。

2、數(shù)字化裝備產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造關(guān)鍵技術(shù)研究

研究目標(biāo)：圍繞數(shù)控機(jī)床、紡織機(jī)械及高效壓縮機(jī)等高端數(shù)字化裝備產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造，開展旨在提高產(chǎn)品精度、效率和運(yùn)行可靠性的關(guān)鍵技術(shù)研究，掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，提高數(shù)字化裝備產(chǎn)品的市場競爭能力。

研究內(nèi)容：基于實(shí)時(shí)工業(yè)以太網(wǎng)及現(xiàn)場總線的中高檔數(shù)控系統(tǒng)和高性能數(shù)字化交流伺服驅(qū)動系統(tǒng)工程化開發(fā)技術(shù)研究，大型數(shù)控裝備遠(yuǎn)程監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)化數(shù)據(jù)管理及大型復(fù)雜部件加工工藝研究；紡織產(chǎn)業(yè)用高性能噴氣織機(jī)及高速卷繞機(jī)的設(shè)計(jì)制造關(guān)鍵技術(shù)研究；全封閉二氧化碳熱泵壓縮機(jī)的設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)，壓縮機(jī)泵體和驅(qū)動電機(jī)的匹配技術(shù)研究。

3、軌道交通運(yùn)輸裝備關(guān)鍵技術(shù)研究

研究目標(biāo)：為適應(yīng)軌道交通的發(fā)展需求，開發(fā)城市軌道交通智能控制系統(tǒng)、車載控制信號系統(tǒng)和車輛關(guān)鍵配套部件，實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn),并在實(shí)際工程得到應(yīng)用。

研究內(nèi)容：基于CBTC的車載控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)研究、車載通信設(shè)備的軟硬件研制和ATS系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)研究等；時(shí)速120公里的城市軌道交通B型車轉(zhuǎn)向架設(shè)計(jì)及制造技術(shù)研究；時(shí)速300公里的高速列車座椅骨架設(shè)計(jì)與制造技術(shù)研究。

4、深水半潛式鉆井平臺關(guān)鍵建造技術(shù)研究

研究目標(biāo)：為加快海洋資源的開發(fā)利用，圍繞3000米深水半潛式鉆井平臺建造開展關(guān)鍵技術(shù)研究，掌握深水半潛式鉆井平臺的建造工藝和方法，形成自主建造深水半潛式平臺的技術(shù)能力。

研究內(nèi)容：大型深水半潛式平臺的建造精度控制技術(shù)研究，高壓管線焊接技術(shù)研究，噪音預(yù)報(bào)與減振降噪技術(shù)研究等。

專題二、先進(jìn)材料

面向航空、電力、化工、生物醫(yī)用等領(lǐng)域，開展民用飛機(jī)用材、高溫超導(dǎo)、新型催化劑、綠色精細(xì)化工材料和骨科材料的研制，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)領(lǐng)域關(guān)鍵材料的技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，推動材料向高端、綠色、節(jié)能方向發(fā)展，支撐經(jīng)濟(jì)和社會的發(fā)展。

1、民用客機(jī)配套材料體系和工程化研究

研究目標(biāo)：建立民用客機(jī)配套材料體系，制定工程化路線圖，形成飛機(jī)設(shè)計(jì)、材料選擇、零部件制造的產(chǎn)學(xué)研緊密合作機(jī)制;突破大直徑TC4鈦合金棒材制造和應(yīng)用技術(shù)，滿足飛機(jī)結(jié)構(gòu)件設(shè)計(jì)和制造要求。

研究內(nèi)容：研究民用客機(jī)配套材料體系和工程化方案，協(xié)助相關(guān)企業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)開展材料適航性認(rèn)證；瞄準(zhǔn)φ220～400mm的TC4鈦合金棒材的冶煉、鑄造、鍛造和熱處理等工藝過程，開展材料成份、組織與性能及工程化應(yīng)用研究和適航性試驗(yàn)研究。

2、高溫超導(dǎo)電纜系統(tǒng)及電力應(yīng)用示范工程設(shè)計(jì)研究

研究目標(biāo)：研制可工程化應(yīng)用的低溫絕緣高溫超導(dǎo)電纜系統(tǒng)，通過電氣型式試驗(yàn)；完成電力應(yīng)用示范工程設(shè)計(jì)方案的研究；掌握適用于示范工程的百米長第二代高溫超導(dǎo)帶材連續(xù)化制備技術(shù)。

研究內(nèi)容：高溫超導(dǎo)電纜導(dǎo)體、屏蔽、絕緣制造和連接技術(shù)的優(yōu)化研究；電纜系統(tǒng)的型式試驗(yàn)、運(yùn)行、監(jiān)控和維護(hù)技術(shù)；高溫超導(dǎo)電纜示范工程研究設(shè)計(jì)；第二代高溫超導(dǎo)帶材鍍膜工藝研究。

3、新型催化劑工業(yè)應(yīng)用技術(shù)研究

研究目標(biāo)：掌握適合于北星雙峰工藝聚乙烯催化劑的制備技術(shù)，形成連續(xù)、穩(wěn)定批量制備的能力，在25萬噸/年工藝裝置上實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)催化劑的工業(yè)化應(yīng)用；研制節(jié)能效果顯著的新一代甲苯歧化與烷基轉(zhuǎn)移催化劑，實(shí)現(xiàn)在大型對二甲苯（PX）生產(chǎn)裝置上的工業(yè)應(yīng)用，單位產(chǎn)品節(jié)能10%、二甲苯產(chǎn)能增加5％以上。

研究內(nèi)容：適合于北星雙峰工藝聚乙烯生產(chǎn)的新型催化劑國產(chǎn)化和工業(yè)化應(yīng)用研究，包括催化劑的放大制備、小試和中試裝置上催化劑性能考評試驗(yàn)；25萬噸/年工藝裝置工業(yè)化試驗(yàn)研究；新型甲苯歧化催化劑工業(yè)放大與應(yīng)用，包括催化劑制備工藝優(yōu)化和試生產(chǎn)技術(shù)研究；全流程反應(yīng)工藝模擬計(jì)算和優(yōu)化研究；大型PX生產(chǎn)裝置上的工業(yè)化試驗(yàn)。

4、高附加值綠色精細(xì)化工產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)

研究目標(biāo)：掌握汽車和皮革工業(yè)用無丙酮、無氣味水分散型聚氨酯批量生產(chǎn)技術(shù)，建設(shè)中試生產(chǎn)線；掌握高質(zhì)量、低成本烷基糖苷(APG)的成套生產(chǎn)工藝技術(shù)，建設(shè)年產(chǎn)萬噸級“一步法”示范線；研制用于纖維板的綠色環(huán)保蛋白質(zhì)改性膠粘劑，掌握50萬噸/年低成本、無甲醛中密度纖維板的工業(yè)化生產(chǎn)成套技術(shù)。

研究內(nèi)容：重點(diǎn)開發(fā)環(huán)保節(jié)能型聚氨酯中試技術(shù)，包括樹脂制備、工藝優(yōu)化，多品種漿料配方及專用設(shè)備的研制；日化用新型綠色表面活性劑APG產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，包括催化劑制備與優(yōu)化，專用生產(chǎn)裝置的設(shè)計(jì)，精細(xì)過濾技術(shù)；纖維板的綠色環(huán)保蛋白質(zhì)膠粘劑產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)，包括膠粘劑的耐水性研究，纖維板制造工藝研究。

5、全氟離子膜產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)

研究目標(biāo)：建立中試規(guī)模的工業(yè)用全氟離子膜、全氟磺酸樹脂、全氟羧酸樹脂生產(chǎn)線；離子膜通過用戶的應(yīng)用考核。

研究內(nèi)容：研究全氟磺酸樹脂、全氟羧酸樹脂合成路線、工程放大工藝；離子膜結(jié)構(gòu)優(yōu)化與制膜工藝；離子膜成套生產(chǎn)裝備與工藝技術(shù)。

6、高性能陶瓷頭全髖假體的臨床應(yīng)用與關(guān)鍵技術(shù)

研究目標(biāo)：研制應(yīng)用于臨床的耐磨損陶瓷頭全髖假體，掌握人工關(guān)節(jié)的低成本制備和加工技術(shù)，形成批量生產(chǎn)能力，取得臨床試用許可。

研究內(nèi)容：高質(zhì)量氧化鋁粉體的穩(wěn)定制備技術(shù)，陶瓷股骨頭成型、燒結(jié)和精密加工技術(shù)，陶瓷股骨頭的型式試驗(yàn)和全髖關(guān)節(jié)的臨床試驗(yàn)研究。

二、研究期限

*年9月30日前完成

三、申請條件

1、申報(bào)單位應(yīng)具備較強(qiáng)技術(shù)實(shí)力和基礎(chǔ)，具備實(shí)施項(xiàng)目研究必備條件。企業(yè)牽頭項(xiàng)目應(yīng)承諾不低于1：1的匹配資金。

2、申請項(xiàng)目必須有較好的前期研究基礎(chǔ)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申請，多家單位聯(lián)合申請時(shí)，應(yīng)在申請材料中明確各自承擔(dān)的工作和職責(zé)，并附上合作協(xié)議或合同。

3、國內(nèi)外合作項(xiàng)目必須有合作協(xié)議或授權(quán)協(xié)議，涉及許可研究、專利等，申報(bào)時(shí)需附許可研究批件復(fù)印件、有關(guān)知識產(chǎn)權(quán)批件復(fù)印件等。

4、所有附件要求上傳到網(wǎng)上。

四、申請方式

1、本指南公開。凡符合課題制要求、有意承擔(dān)研究任務(wù)的在*注冊的法人、自然人均可以從“*科技”網(wǎng)站上進(jìn)入“在線受理科研計(jì)劃項(xiàng)目可行性方案”，并下載相關(guān)表格《*市科學(xué)技術(shù)委員會科研計(jì)劃項(xiàng)目課題可行性方案（*版）》，按照要求認(rèn)真填寫。

2、課題責(zé)任人年齡不限，鼓勵(lì)通過課題培養(yǎng)優(yōu)秀的中青年學(xué)術(shù)骨干。課題責(zé)任人和主要科研人員，同期參與承擔(dān)國家和地方科研項(xiàng)目數(shù)不得超過三項(xiàng)。

3、已申報(bào)今年市科委其它類別項(xiàng)目者應(yīng)主動予以申明，未申明者按重復(fù)申報(bào)不予受理。

4、每一課題的申請人可以提出不超過2名的建議回避自己課題評審的同行專家名單（名單需隨課題可行性方案一并提交）。

5、本課題申請起始日期為*年6月12日，截止日期為*年7月3日。課題申報(bào)時(shí)需提交書面可行性方案一式4份，并通過“*科技”網(wǎng)站在線遞交電子文本1份。書面可行性方案集中受理時(shí)間為*年6月26日至7月3日，每個(gè)工作日上午9：00～下午4：30。所有書面文件請采用A4紙雙面印刷，普通紙質(zhì)材料作為封面，不采用膠圈、文件夾等帶有突出棱邊的裝訂方式。

6、網(wǎng)上填報(bào)備注：

（1）登陸“*科技”網(wǎng)），進(jìn)入網(wǎng)上辦事專欄；

（2）點(diǎn)擊《科研計(jì)劃項(xiàng)目課題可行性方案》受理并進(jìn)入申報(bào)頁面：

-【初次填寫】轉(zhuǎn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊“專題名稱”中相應(yīng)的指南專題后開始申報(bào)項(xiàng)目（需要設(shè)置“項(xiàng)目名稱”、“依托單位”、“登錄密碼”）；

-【繼續(xù)填寫】輸入已申報(bào)的項(xiàng)目名稱、依托單位、密碼后繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。